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晶体硅太阳能电池产业化技术现状

文章出处:http://jining.3dcoo.com   责任编辑:济宁变压器厂   发布时间:2019-08-07    点击数:95   【

“处处阳光处处电”人类这一美好的愿景随着硅材料技术、半导体工业装备制造技术以及电池关键制造工艺技术的不断获得突破而离我们的现实生活越来越近!近20年来,科学家与电池制造工艺技术人员的研究成果已经使太阳能发电成本从最初的几美元/KWh减少到低于25美分/KWh。而这一趋势通过研发更新的工艺技术、开发更先进的配套装备、更廉价的电子材料以及新型高效太阳能电池结构,太阳能(PV)发电成本将会进一步降低,到本世纪中叶将降至4美分/KWh,优于传统的发电费用。

大面积、薄片化、高效率以及高自动化集约生产将是硅电池工业的发展趋势。通过降低峰瓦电池的硅材料成本,通过提升光电转换效率与延长其使用寿命来降低单位电池的发电成本,通过集约化生产节约人力资源降低单位电池制造成本,通过合理的机制建立优秀的技术团队、避免人才的不合理流动、充分保证技术上的持续创新是未来企业发展的核心竞争力所在!

1、太阳能电池产业化技术发展

晶体硅太阳能电池的发展可划分为三个阶段,每一阶段效率的提升都是因为新技术的引入。

1954年贝尔实验室Chapin等人开发出效率为6%的单晶硅太阳能电池到1960年为第一发展阶段,导致效率提升的主要技术是硅材料的制备工艺日趋完善、硅材料的质量不断提高使得电池效率稳步上升,这一期间电池效率在15%。1972年到1985年是第二个发展阶段,背电场电池(BSF)[1]技术、“浅结”结构[2]、绒面技术、密栅金属化是这一阶段的代表技术,电池效率提高到17%,电池成本大幅度下降。1985年后是电池发展的第三阶段,科学家探索了各种各样的电池新技术、金属化材料和结构来改进电池性能提高其光电转换效率:表面与体钝化技术、Al/P吸杂技术、选择性发射区技术、双层减反射膜技术等。许多新结构新技术的电池在此阶段相继出现,如效率达24.4%钝化发射极和背面点接触(PERL)[3]电池。目前相当多的技术、材料和设备正在逐渐突破实验室的限制而应用到产业化生产当中来。目前已经有多家国内外公司对外宣称到2008年年底其大规模产业化生产转换效率单晶将达到18%,多晶将超过17%。

1.1表面织构

减少入射光学损失是提高电池效率最直接方法。化学腐蚀工艺是最成熟的产业化生产技术,也是行业内最广泛使用的技术,工艺门槛低、产量大;但绒面质量不易控制、不良率高,且减反射效果有限(腐蚀后的反射率一般仍在11%以上),并产生大量的化学废液和酸碱气体,非环境友好型生产方式。反应离子刻蚀技术(RIE)是最有发展前景的技术,它首先在硅片表面形成一层MASK(掩膜)再显影出表面织构模型,然后再利用反应离子刻蚀方法制备表面织构。用这种方法制备出的减反射绒面非常完美,表面反射率最低可降至0.4%,单多晶技术统一,生产工艺与设备都可移植于IC工业,如果生产成本能够进一步降低可望取代化学腐蚀方法而大规模使用。京瓷产业化17.2%~17.7%的多晶硅电池就是采用等离子刻蚀工艺的一个成功典范。

1.2发射区扩散

PN结特性决定了太阳能电池的性能!传统工艺对太阳能电池表面均匀掺杂,且为了减少接触电阻、提高电池带负载能力表面掺杂浓度较高。但研究发现表面杂质浓度过高导致扩散区能带收缩、晶格畸变、缺陷增加、“死层”明显、电池短波响应差。PN结技术是国际一流电池制造企业与国内电池企业的主要技术差距。为了在提高电池的填充因子的同时避免表面“死层”,选择性扩散发射极电池技术是最有望获得产业化生产的低成本革命性高效电池技术,其技术原理简单且通过现有装备已经在实验室实现,但如何降低制造成本是该技术产业化过程中所面临的主要挑战。目前国内某些大公司对外宣传的超过17.6%以上的高效电池其技术核心均来源于此,相信随着配套装备与辅助材料的及时解决近二年内将会迅速普及与推广。

在制造工艺上采用氮气携带三氯氧磷管式高温扩散是目前主流生产技术,其特点是产量大、工艺成熟操作简单。随着电池向大尺寸、超薄化方向发展以及低的表面杂质浓度(表面方块电阻80~120Ω/口、均匀性±3%以内),减压扩散技术(LYDOP)优势非常明显,工艺中低的杂质源饱和蒸气压、提高了杂质的分子自由程,它对156尺寸的硅片每批次产量400片的情况下其扩散均匀性仍优于±3%,是高品质扩散的首选与环境友好型的生产方式。链式扩散设备不仅适应Inline自动化生产方式,而且处理硅片尺寸几乎不受限制、碎片率大大降低而迅速受到重视,其工艺有喷涂磷酸水溶液扩散与丝网印刷磷浆料扩散二种。在链式扩散技术上,BTU、SCHMID以及中电集团第48所均已有长时间的研究及工业化应用,只要能在扩散质量上获得突破其一定会取代目前管式扩散成为主流生产装备与技术。

1.3去边技术

产业化的周边PN结去除方式是等离子体干法刻蚀,该方法技术成熟、产量大,但存在过刻、钻刻及不均匀的现象,不仅影响电池的转换效率,而且导致电池片蹦边、色差与缺角等不良率上升。激光开槽隔离技术根据PN结深度而在硅片边缘开一物理隔离槽,但与国外情况相反,据国内使用情况来看电池效率反而不及等离子体刻蚀技术,因此该方法有待进一步研究。目前行业出现的另外一种技术——化学腐蚀去边与背面腐蚀抛光技术集刻蚀与去PSG一体,背面绒面的抛光极大降低了入射光的透射损失、提高电池红光响应。该方法工艺简单、易于实现inline自动化生产,不存在“钻刻”与刻蚀不均匀现象,工艺相对稳定,因此尽管配套设备昂贵但仍引起业内广泛关注。

1.4表面减反射膜生长技术

早期采用TiO2膜或MgF2/ZnS混合膜以增加对入射光的吸收,但该方法均需先单独采用热氧化方法生长一层10~20umSiO2使硅片表面非晶化、且对多晶效果不理想。


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